近年來全球光伏市場規(guī)模持續(xù)增長。根據(jù)中國光伏行業(yè)協(xié)會(CPIA)發(fā)布的《2024-2025年中國光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖》。

　　可以看到，從2020年的130GW到2024年530GW，近5年全球光伏新增裝機量實現(xiàn)了年復合約42%的高速爆發(fā)擴張式增長，全球光伏市場如火如荼。到2030年，樂觀估計，將從2024年的530GW繼續(xù)增長到1078GW，這意味著未來六年全球光伏裝機將會有年復合約13%的快速增長，而即便保守估計，增長到881GW，也將會有年復合約9%的穩(wěn)步增長。光伏市場依舊將持續(xù)蓬勃穩(wěn)定發(fā)展。

　　逆變器作為綠色能源轉換中的核心設備，在新能源領域中的重要性日益凸顯，其具有提高電能質(zhì)量，支撐電網(wǎng)穩(wěn)定性，快速響應提升能效等重要作用。它的高效可靠性直接關系到電力轉換的能效和穩(wěn)定。

　　光伏逆變器現(xiàn)狀和趨勢

　　根據(jù)不同功率和應用場合，光伏逆變器可分為集中式逆變器、組串式逆變器、集散式逆變器以及微型逆變器。根據(jù)中國光伏行業(yè)協(xié)會(CPIA)發(fā)布的報告顯示，中國光伏逆變器市場主要以集中式和組串式逆變器為主，其他類型占比較小，這其中尤以組串式逆變器為主，其市場份額從2018年的60.4%增長至2023年的80%，進一步確立了組串式逆變器的市場主流地位。預計未來依舊是組串式逆變器為主。

　　對于逆變器，成本是產(chǎn)品的一大關鍵要素。逆變器的成本主要分為四大塊，首先是機構件占到約1/3，其次電感和電容占到約1/3，功率半導體器件約占到1/6，剩余1/6則是集成電路、控制組件、PCB等。詳細成本構成可參考下圖：

　　隨著逆變器技術的不斷發(fā)展，組串逆變器的單臺最大功率已然達到360kW左右，對于愈發(fā)大功率的逆變器產(chǎn)品，高效率高功率密度高可靠性也變得愈發(fā)重要。而作為功率器件的SiC有著比IGBT更出色的性能，更低的開關損耗和導通損耗，可以工作在更高的開關頻率，也更適合更高功率的應用場合。

　　高開關頻率意味著可以更好的優(yōu)化磁性元器件的性能和體積，這對于逆變器發(fā)展的高效率、高功率密度以及高可靠性要求有著天然的優(yōu)勢，并且高效率高功率密度也意味著更低的損耗更少的散熱和更緊湊的走線設計，結合SiC的高開關頻率帶來的磁性元器件體積成本的縮減，可以進一步降低整體的光伏系統(tǒng)成本。

　　目前SiC的成本還是高于IGBT，但隨著半導體工藝的發(fā)展和產(chǎn)能的釋放，SiC的高性能帶來的系統(tǒng)成本優(yōu)勢會越來越明顯，也有助于光伏更高的系統(tǒng)集成度要求，并有望進一步促進推動整體光伏市場的革新和發(fā)展。

　　SiC在光伏逆變器中的應用

　　當前市場，越來越多的客戶在DCDC側開始導入SiC并實現(xiàn)了產(chǎn)品的量產(chǎn)，這顯著提升了MPPT側的性能，縮減了Boost電感的體積，提升了前端的功率密度，并降低了一定的系統(tǒng)成本。而在DCAC側，SiC又會有怎樣的性能表現(xiàn)呢?為此ST專門開發(fā)了一款組串式50kW SiC DCAC逆變器，旨在探索下一代高效逆變器的發(fā)展。

　　 50kW逆變器采用了ST最新的第三代半導體技術的SiC模塊A2U8M12W3-FC和高性能MCU STM32H743，以及STGAP2系列驅(qū)動芯片和L6565、TSV914等半導體器件。

　　是50kW SiC逆變器控制框圖，基于T型三電平拓撲，采用STM32H743，結合STGAP2驅(qū)動芯片來實現(xiàn)對SiC模塊A2U8M12W3以及整體系統(tǒng)的性能控制和保護。其峰值效率在額定800Vdc輸入的情況下，可達98.89%，650Vdc輸入下更是高達99.1%，相比于IGBT逆變器的峰值效率點，顯著提升了0.5%左右，更好的實現(xiàn)了光伏逆變器的高效高性能。

　　開關頻率也從IGBT主流的20k提升到40kHz，進一步減少了LCL濾波器的感量體積以及BUS電容的容量，功率密度高達75W/in^3，實現(xiàn)了高頻、高效、高功率密度和高可靠性的發(fā)展要求。

　　內(nèi)容來源：SiC在光伏逆變器中的應用